SK海力士旗下Solidigm推出122TB容量AI用eSSD D5-P5336：全球最大容量

近日消息，SK 海力士 NAND 闪存解决方案子公司 Solidigm 宣布推出目前市场上容量最大的 122TB NAND 闪存解决方案。这款基于 QLC 技术的企业级固态硬盘（eSSD）新产品名为“D5-P5336”。这一创新产品将为企业存储解决方案带来更高的性能和更大的存储容量。

据介绍，D5-P5336“全球首次”具备可随机写入长达五年的耐用性，适用于数据密集型的 AI 工作。Solidigm 技术人员确认，如果客户使用该产品构建 NAS，与现有的 HDD、SSD 混合使用方式相比，存储器搭载空间可减少至四分之一，耗电量最多可节省至 84%。

客户在构建有空间限制的 Edge Server（边缘服务器）时，如果以该产品代替普遍使用的 TLC 30TB 固态硬盘，可以在相同面积内储存多达 4 倍的数据，每 TB 的功率密度将提高至 3.4 倍。

Solidigm 目前正在和全球客户公司一起进行 D5-P5336 的验证工作，验证完成后预计从明年初开始供应产品。官方表示，公司正计划通过一系列措施使其具备从 7TB 到 122TB 广泛的企业级固态硬盘产品组合。

SK海力士8月6日AI盛会：揭晓12层HBM3E内存与321层NAND闪存创新成果

SK海力士官方于8月1日通过博客平台宣布，其将参与8月6日至8日在美国内华达州圣克拉拉市举办的2024年全球半导体存储器峰会，并在会上展出多款创新的下一代存储解决方案。此番亮相预计将加深行业对SK海力士技术领导力的认识，并促进存储技术的前沿交流。

未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage）简介

前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会（Flash Memory Summit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage），以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。

新产品

SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年开始出货）。

从左上开始，顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

从左上开始，顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM

演讲

SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的 AI 内存和存储解决方案领导力与愿景》的主题演讲。

两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合，以及为实现人工智能而优化的人工智能内存解决方案。

SK海力士携手台积电，N5版基础裸片助力HBM4内存效能飞跃

7月17日消息，全球领先的半导体制造商SK海力士宣布了一项重要的技术决策，将采用台积电（TSMC）的N5（5纳米）工艺技术来生产下一代高带宽内存（High Bandwidth Memory，简称HBM4）的基础裸片（Base Die）。

新一代 HBM 内存 HBM4 的 JEDEC 标准即将定案。而根据IT之家此前报道，SK 海力士的首批 HBM4 产品（12 层堆叠版）有望于 2025 年下半年推出。

SK 海力士和台积电双方于今年 4 月签署了合作谅解备忘录，宣布将就 HBM 内存的基础裸片加强合作。

而台积电在 2024 年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款 HBM4 内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的 N12FFC+ 版和面向高性能应用的 N5 版。

其中 N5 版基础裸片面积仅有 N12FFC+ 版的 39%，同功率下逻辑电路频率可达 N12FFC+ 版的 155%，同频率功耗则仅有 35%。

N5 工艺版基础裸片可实现 6~9μm 级别的互联间距，在目前流行的 2.5D 式封装集成外还能支持 HBM4 内存同逻辑处理器的 3D 垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变 HPC&AI 芯片生态。

HBM 内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK 海力士和三星电子均正为其 HBM 内存团队补充逻辑设计人才。