SK海力士强化环保举措，采用氟气替换三氟化氮于芯片生产，引领绿色制造潮流

近日消息，SK海力士宣布了一项环保举措，即将在芯片制造的清洗流程中采用氟气（F2），此举旨在减少生产过程中的环境影响，推进半导体产业的绿色化进程。

SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3 的 GWP 为 17200，而 F2 为 0）。

除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。

SK海力士推进CXL内存新纪元：Linux兼容性优化完成，96/128GB CXL 2.0模组年内量产蓄势待发

近日，SSK海力士宣布了一项技术突破，他们自主研发的HMSDK（异构存储器软件开发套件）现已成功在Linux平台上实现核心功能的稳定运行。

这套软件专注于优化CXL（Compute Express Link）内存的操作效率，通过智能化地根据传统内存与先进CXL内存的不同特性来动态调配存储资源，标志着SK海力士在内存解决方案的软件创新上迈出了重要一步。

SK 海力士宣称，即使不调整现有应用程序，HMSDK 也可提高至少 30% 内存整体带宽。此外该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，可将高频使用数据迁移至快速内存，从而提升 12% 系统性能。

随着下半年首批支持 CXL 2.0 的服务器 CPU 问世，CXL 有望正式进入商业化阶段。SK 海力士正为此对 96GB、128GB 容量的 CXL 2.0 内存模组进行客户验证，并计划在年底实现量产。

SK 海力士表示：

CXL 作为继 HBM 之后的下一代面向 AI 的存储器产品而备受瞩目，公司自主研发的 CXL 优化软件 HMSDK，其性能已获得国际认可，并成功应用于全球最大的开源操作系统 Linux 中。

这标志着不仅是如 HBM 等超高性能硬件实力方面，公司的软件竞争力也获得广泛认可，具有重大意义。

SK海力士年内推进HBM4内存流片：携手英伟达、AMD，沿用1b nm DRAM技术

近日消息，SK海力士宣布了一项重要进展，计划于2024年内为图形处理巨头英伟达和AMD分别推出为其定制的HBM4内存芯片，这标志着高性能显存技术的再次飞跃，将为双方的高端显卡产品带来显著的性能提升，进一步推动人工智能与高性能计算领域的发展。

消息人士向韩媒表示，SK 海力士已为这两家主要 HBM 内存客户组建了 HBM4 内存开发团队。英伟达用 HBM4 将率先于今年 10 月进行流片，而向 AMD 供应的 HBM4 也将在今年底流片。

报道还表示，虽然三星电子计划在 HBM4 内存上直接应用 1c nm DRAM 以提升能效竞争力，但 SK 海力士为稳定起见将在 HBM4 沿用已在 HBM3E 中得到检验的 1b nm DRAM 裸片。

而在 HBM4 的基础裸片（Base Die，也称逻辑芯片、接口芯片）部分，SK 海力士将采用台积电提供的 N12FFC+ 平价产品和 N5 高性能产品。

此外韩媒提到，英伟达预计于 2026 年发布的后 Blackwell 世代高性能 AI GPU“Rubin”将使用 12 层堆叠的 HBM4 内存。SK 海力士在 HBM 领域的主要竞争者三星电子也将在 2024 年内启动 HBM4 内存的流片。