SK海力士副社长展望：存储控制器2至3年内采用Chiplet技术革新

8月27日消息，SK海力士副总裁文起一在最近的学术会议中发表前瞻性见解，预示着Chiplet芯粒技术预计在未来2至3年内，将实质性地融入DRAM和NAND存储产品的开发之中，这一论断引起了业界的广泛关注，标志着存储技术即将迎来又一革新阶段。

并非所有存储产品控制器功能都需要使用先进工艺，采用 Chiplet 设计可将对工艺要求较低的功能模块剥离到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影响功能实现的同时大幅降低成本。

SK 海力士正在内部开发 Chiplet 技术，该企业不仅加入了 UCIe 产业联盟，也已于 2023 年在全球范围内申请注册了用于 Chiplet 技术的 MOSAIC 商标。

文起一在本次会议上还表示，用于连接 HBM 内存各层裸片的新兴工艺混合键合目前面临诸多挑战，但该工艺仍将是未来方向。

混合键合对 CMP（化学机械抛光）加工步骤提出了更高精细度要求；此外封装加工引起的碎屑污染问题也对 HBM 内存的良率造成明显影响。

SK海力士GDDR7震撼发布：性能巅峰，较前代跃升60%，重塑图形内存新标杆

7月30日消息，SK海力士于今日宣布成功推出全球性能巅峰的最新一代显存产品——GDDR7，这一里程碑式的产品标志着显存技术的又一重大飞跃，预期将为图形处理和高端计算应用带来显著性能提升。

SK 海力士表示：“GDDR 具备了专用于图形处理的性能和高速度的特性，全球人工智能应用客户对其关注度日益增加。顺应这一趋势，公司已于今年 3 月份开发完成最新规格的 GDDR7，此次正式推出并将于今年第三季度开始量产。”

SK 海力士的 GDDR7 实现了高达 32Gbps（每秒 32 千兆字节）的运行速度，其与前一代相比提高了 60% 以上，根据使用环境速度最高可达 40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上，可支持每秒 1.5TB（太字节）以上的数据处理，其相当于在 1 秒内可处理 300 部全高清（Full-HD）级电影（5GB）。

GDDR7 可提供更快速度的同时，能效与前一代相比提升了 50% 以上。SK 海力士为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，在此次产品研发过程中采用了封装（Packaging）新技术。

SK 海力士的技术团队维持产品尺寸的同时，将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。由此，技术团队成功地将该产品的热阻与前一代相比减少了 74%。

SK海力士宣布9月末启动12层HBM3E内存大规模生产，强化市场领导地位

近日消息，SK海力士社长金柱善在SEMICON大师论坛上发表了重要演讲。他强调，公司目前的8层HBM3E存储解决方案已稳居市场领导地位。更为引人注目的是，SK海力士宣布将于本月内正式启动其下一代12层HBM3E产品的量产进程，这一举措无疑将进一步巩固其在高速内存技术领域的前沿地位。

SK 海力士在 HBM 产品拥有全球最高的市占率，HBM3E 也是现今市面上最具主导地位的产品，预计本月就会推出 12 层堆叠的 HBM3E 产品，以因应 AI 服务器的庞大需求。

此外，SK 海力士也正在与台积电合作进行下一代 HBM4 的研发，将配合客户量产时间进行供货，预计将是首款在基础裸晶（Basedie）芯片上应用逻辑制程工艺生产的产品。

据此前报道，目前 8 层和 12 层 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可处理超过 1.18TB 数据，而 HBM4 将提供 12 层和 16 层产品，最大容量为 48GB，数据处理速度可超过每秒 1.65TB。